串联电流(串联电流规律公式)
13192023-12-04
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共射级放大电路的电压和电流增益都大于1,输入电阻再三级组态中剧中,输出电阻和集电极电阻有关。适用于低频。
二、集电极放大电路只有电流放大作用,电压跟随作用。输入电阻高,输出电阻小频率特性好。
三、共基极放大电路只有电压放大作用,电流更随作用。输入电阻小,输出电阻与集电极电阻有关。
回答这个问题需要先了解一下晶体管内部结构及载流子运动的过程。
以npn型三极管为例,集电区自由电子是多数载流子,基区空穴是多数载流子,但基区很薄,掺杂浓度较低,因此空穴数量较少。
发射结加正向电压,多数载流子电子,在正向电场作用下顺利到达基区,仅有少量电子与基区空穴复合,形成基极电流。而大量电子,在集-基强大电场力作用下,穿过集电结(漂移)到达集电区,与电源正极板空穴复合,形成集电极电流。
所以,基极到集电极虽加反向电压但由于1)基区很薄,2)杂质浓度低。这样有效减少了电子在基区复合的机会,最后大量漂移到集电区,形成集电极电流。
因此,即使基极到集电极虽加反向电压,也会有电流。
因为:集电极电阻RC与集电极电流IC相乘后再加上VCE等于电源电压VE,即:VE=(RC*IC)+VCE当基极输入信号为正半周时,基极电流IB是增大的(以NPN管为例),引起集电极电流IC增大,引起VCE下降,(电源电压VE恒定)。
集电极输出端是从VCE接出的,因此:输入上升输出下降,是反相的。
射极输出时,发射极上有电阻RE,集电极上没有电阻RC.输出是从RE两端接出的,当基极输入信号增加时,发射极电流IE增加,则:IE*RE=Vo,也增加,所以是同相的。
不能.在制造晶体管的时候,emitter发射极和collector集电极的donordoping的浓度是不一样的,发射极中电子的浓度远大于集电极中电子的浓度,差别至少在10^3倍以上。
而且发射极和集电极的面积大小也差别很大,即公式中的W是不同的。w=width。即使是共基极的接法,E和C也不能互换。
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