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14312023-11-27
大家好,关于slc和tlc优缺点很多朋友都还不太明白,今天小编就来为大家分享关于不建议买slc的知识,希望对各位有所帮助!
本文目录
一、存储技术不同 1、SLC:单层单元存储技术。 2、MLC:多层单元存储技术。 3、TLC:三层单元存储技术。 二、特点不同 1、SLC:在每个单元中存储一个Bit,这种设计提高了耐久性、准确性和性能。 2、MLC:架构可以为每个单元存储2个Bit。 3、TLC:用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。 三、用处不同 1、SLC:对于企业的关键应用程序和存储服务,SLC是首选的闪存技术。它的价格最高。 2、MLC:存储多个Bit似乎能够很好地利用空间,在相同空间内获得更大容量,但它的代价是使用寿命降低,可靠性降低。 3、TLC:适合于包含大量读取操作的应用程序,基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用。 来源:-SLCMLC 来源:-FLASH闪存
SLC缓存是固态硬盘(SSD)中的一个重要技术,它是在手机闪存(TLC)的基础上改进而来的,最大的区别就在于SLC缓存可以提高读写速度和耐久度。
相比较而言,4m的容量比2m更大,所以可以更好地缓存数据,同时也能够在恶劣的工作环境下更好地保护数据。
进一步延伸,SLC缓存容量的大小也会影响固态硬盘的价格,所以在购买固态硬盘的时候,需要根据自己的实际需求来选择适合的容量。
现有SSD市场中,QLC固态已经大量上架,这些基于QLC闪存颗粒的产品凭借着低于1元/GB的价格吸引着消费者的眼球。然而有过TLC固态翻车经历的电脑玩家们,面对QLC时代的到来,有种既想谈恋爱,又怕受伤害的味道。那么,面对消费者的“怀疑”、“鄙视”,QLC闪存真的是一点都不能接受吗?
一、在“鄙视”QLC之前,请先了解QLC
QLC闪存是什么?玩家们鄙视它又是为什么?
SSD存储产品有两大重要的元器件,分别是:
主控单元,主控是SSD的大脑中枢,是对数据进行读取、写入的一种耗损均衡算法;
NAND闪存,NAND闪存的生产成本直接影响着SSD产品的制造成本和最终售价。按照现有技术水平,NAND闪存共有四种,从高端到入门分别是SLC→MLC→TLC→QLC。
二、NAND闪存颗粒:SLC、MLC、TLC、QLC的区别
(cell:这里可理解为“单元”、“间隔”或“层”)
SLC
每Cell只能存放1bit数据,电压只有0、1两种变化。由于结构简单,使得可擦写寿命达到了10万次,而单Cell读写速度也有35/25MB/s。
MLC
每Cell可以存放2bit数据,相同面积下可以做出2倍于SLC的容量,但是有00、01、10、11四种电压变化,相比SLC需要更复杂的的电压控制,加压过程用时也变长,因此在可靠性上只有SLC的1/10。目前的MLC产品可擦写测试通常在3000~10000次之间,读写速度也降到了SLC闪存1/3的样子。
TLC
每Cell可以存放3bits数据,相同面积下,容量可以比MLC提高50%,但是却有8种电压变化,可靠性进一步降低,一般在300~1000次之间。单Cell读取速度仍然有10MB/s,而写入速度就大幅度降低,不到SLC是1/10,仅有1.5MB/s。
QLC
每Cell可以存放4bits数据,相比TLC,存储密度又提高了33%,但是电压变化却有16种之多,导致可擦写寿命仅有100~150次。单Cell的读写速度目前没有厂商公开资料,预计相比TLC还要进一步降低。
三、QLC产品:小容量不推荐,大容量可入手!
由于SLC闪存超强的可靠性以及远高于其他闪存颗粒的读写速度,通常被当作MLC、TLCSSD的缓存来使用。目前市面上的SSD产品,一般都集成了8~50GB的SLC闪存作为缓存。平时我们的读写操作都是在SLC缓存里面进行,但是当一次性写入的数据超过SLC缓存容量的时候,SSD的写入性能会大幅度降低,特别是TLC颗粒的SSD产品在这种情况下,写入速度基本降到可怜的几十MB/s(闪存颗粒的擦除速度很慢,比写入速度更慢,所以SLC缓存写满后需要一定的时间才能完全释放供下次使用)。
虽然目前各大厂商都在积极推出QLC颗粒的SSD产品,但实际上,相对TLC颗粒,它仅能提高1/3的存储密度,而寿命却缩短了将近10倍!
看上去QLC闪存得到的容量扩展相比损失的使用寿命而言似乎是得不偿失。但是SSD的使用寿命除了闪存颗粒的可擦写次数之外,还有很重要的一点,就是SSD自身的容量。
(即便不进行大容量数据拷贝操作,使用电脑时,系统盘也会产生一定的写入量。主要来自于虚拟内存、浏览器缓存、Windows系统使用以及运行应用程序时所产生的临时文件等。根据每个人使用环境的不同,一般来说,每天的写入量大概在10~50GB之间。上表的使用年限即是以每天50GB写入量为基准计算)
MLC的使用寿命就不说了,即便128GB容量,理论上写入寿命也能达到20年以上。
对于TLC来说,当SSD容量达到了1TB的时候,写入寿命也远远超过了128GB的MLC。
但是QLC就没这么简单了。由于只有100次可擦写寿命,用QLC颗粒做出来的128GBSSD的写入量最高只能达到13TB,重度玩家使用不到一年就报废了。当SSD容量增加到1TB的时候,写入量能达到102TB,重度使用下也能坚持5-6年。依此类推,10TB的QLCSSD产品的写入寿命足够正常玩家使用56年。至于100TB的QLCSSD...
结论:
总体来说,QLC颗粒不适合做小容量SSD产品。但是当SSD容量达到1TB、2TB甚至更多的时候,就可以入手,且不必太在意它到底是用的TLC,还是QLC,放心使用就行了。
因为生产成本和容量上的优势,外加NAND闪存制造工艺的升级,未来消费级的大容量SSD产品,大量使用QLC颗粒的是可预见的趋势,且这一趋势目前正在发生中。
(延伸阅读)
1.比闪存颗粒更重要的是主控
很多消费者反馈,我明明买了MLC或TLC颗粒的SSD,照理说用到电脑淘汰SSD应该也没事,为什么刚用几年就出现SSD读不出资料的情况?这就要说到除了NAND闪存之外的另一个SSD重要组成部分“主控”。
SSD控制器是一种嵌入式微芯片,其功能就像CPU命令中心,发出固件算法的所有操作请求,从实际读取和写入数据到执行垃圾回收和耗损均衡算法等,以保证SSD的速度、整洁度,因此,主控是SSD的大脑中枢。
主控芯片和NAND闪存之间的关系,相当于电脑中CPU与机械硬盘之间的关系。虽说CPU的寿命较长,但是和磁盘相比,CPU在使用寿命上仍然有一定的局限性。同样主控芯片也一样,由于SSD日常使用需要主控来控制数据的进出,大容量的数据交换对于SSD的主控来说是一次次严峻的考验,因此很多时候主控会早于NAND闪存出现故障,而SSD又是一个整体,主控出了问题,自然SSD也不能正常运行,掉盘的事情也就出现。
随着主控芯片的推陈出新,如今的SSD产品在主控上都有长足的进步,不论性能还是稳定性都大幅提升,面对日常应用没有什么大问题。
目前主控芯片市场大致分为三等
第一等级:三星、东芝、英特尔、SK海力士等原厂阵营,他们具有生产NANDFlash,以及研发控制芯片的能力,主要用于自家SSD产品,且基本不对外供应;
第二等级:Marvell、慧荣、群联等主控厂商,占据大部分非原厂的SSD市场;
第三等级:国内主控厂,在国家政策扶持下正在快速崛起,但与一线大厂仍有差距。
2.敏感数据多备份
无论是哪一种介质的存储设备,数据永远是无价的,特别是一些珍贵数据!
俗话说电脑坏了没关系,丢失了数据就悲催。因此对于这些敏感数据来说,多备份才是硬道理。这是不论使用哪种介质的NAND存储都需要做的事情。
单层单元闪存俗称SLC,这种类型的闪存在读写数据时具有最为精确,擦写寿命约在9万到10万次之间。
优点:读写速度最快的NAND闪存芯片规格。与任何其他类型的闪存相比,擦写寿命和读写循环的周期最长。读取/写入错误的发生几率更小,并可在跨度更大的温度范围内正常运行。
缺点:市场上最昂贵的NAND闪存类型。通常只有较小的容量。
三层单元简称TLC,是闪存生产中最低廉的规格,其储存达到了3位/单元,虽然高储存密度实现了较廉价的大容量格式,但其读写的生命周期被极大地缩短,擦写寿命只有短短的500~1000次,同时读写速度较差,只适合普通消费者使用,不能达到工业使用的标准。
优点:较低的生产成本开启了廉价大容量SSD市场。
缺点:与SLC相比TLC储存单元的擦写寿命要短得多。理论上读写速度与SLC相比慢。
关于slc和tlc优缺点到此分享完毕,希望能帮助到您。